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本发明公开了一种半导体芯片的清洗方法,采用臭氧化的DI水进行半导体芯片表面的清洗,并使温度设置为60~70℃,随后使温度降至常温,用过硫酸和过氧化氢混合液对半导体芯片表面再次进行清洗,使用氢氟酸和氯化氢混合液对半导体芯片表面进行清洗,采用氯化氢和臭氧混合液对半导体芯片的表面进行清洗,在40~50℃的条件下及进行烘干操作,完成清洗,本发明方式比较环保,且降低各种清洗液的使用量,在清洗过程中将半导体芯片表面的有机物及氧化层均处理干净,且较传统的清洗方法效果更加明显,并且在表面产生亲水性,可避免再次发
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764259 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202010984685.3
(22)申请日 2020.09.18
(71)申请人 英迪那米(徐州)半导体科技有限公
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