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本发明公开了一种氦离子注入提升硅基探测器红外响应的方法，所述方法包括：将氦离子注入硅材料中产生缺陷态，当入射到硅基光电探测器上的光功率发生改变时，缺陷态吸收效应与表面态吸收效应同时作用会导致硅基光电探测器的光敏区域的导纳发生变化，实现硅基光电探测器对红外波段光功率的监测；所述硅基光电探测器为基于表面态吸收原理的垂直耦合透明光电探测器，包括：光敏探测器和信号读出电路。本发明利用氦离子注入在硅基光电探测器中引起缺陷态吸收，可以提升传统硅基光电探测器的红外响应，并且无需较大改动外围读出电路与封装方式。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764542 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202111008464.3
(22)申请日 2021.08.31
(71)申请人 天津大学
地址 30
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