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本发明公开了一种半导体器件及其形成方法。该方法包括：形成延伸到半导体衬底中的隔离区；形成高于隔离区的顶面凸出的多个半导体鳍；在多个半导体鳍上形成栅极堆叠件；在栅极堆叠件的侧壁上形成栅极间隔件。以及使多个半导体鳍凹进以在栅极堆叠件的侧面上形成多个凹进。多个凹进延伸到低于隔离区的顶面的水平。进行外延工艺以生长外延区，其中外延区填充多个凹进。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764345 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202110926648.1 H01L 27/088 (2006.01)
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