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沟槽型功率MOSFET器件的工艺方法.pdfVIP

沟槽型功率MOSFET器件的工艺方法.pdf

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    本发明公开了一种沟槽型功率MOSFET器件的工艺方法，形成于半导体衬底上的外延层中，在外延层上进行牺牲氧化硅层的形成工艺时，采用不高于1050℃的低温工艺温度制作形成牺牲氧化层,通过降低牺牲氧化层的形成工艺的工艺温度，在形成与传统工艺保持相同厚度的牺牲氧化层时，低温工艺降低了衬底中载流子反向扩散到外延层中的数量，外延层的有效厚度增加，提高击穿电压。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113782589 A (43)申请公布日 2021.12.10 (21)申请号 202111011366.5 (22)申请日 2021.08.31 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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