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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一层间介质层，所述第一层间介质层具有贯穿所述第一层间介质层的第二开口，所述第二开口固定接触孔结构的形成位置；在所述第二开口的侧壁、底面以及第一层间介质层的表面形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成第二层间介质层。本申请的半导体结构及其形成方法可以解决现有技术中因接触孔位置偏移而导致的接触电阻增大或桥接的问题，同时可以改善工艺窗口，提高工艺精度，大幅度提升产品良率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113782485 A (43)申请公布日 2021.12.10 (21)申请号 20201

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