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本发明公开了一种原子磁光阱芯片及加工方法。本发明包括硅晶片和三维磁场线圈，硅晶片顶面中心向下开设的球缺形凹槽，形成反射腔。三维磁场线圈包括嵌在硅晶片顶面的上磁场线圈组和嵌在硅晶片底面的下磁场线圈组；上磁场线圈组包括四个均布在反射腔周围的椭圆形金属环，椭圆形金属环相对反射腔的远端具有开口，形成四个对称布置的开放式椭圆形金属线圈；下磁场线圈组包括两个与反射腔同心的金属圆环，其中内环的投影在四个椭圆形金属环的最小围合空间范围内，内、外金属圆环在同一角度具有开口，形成两个同心布置的开放式圆形金属线圈。本
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782245 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202110943466.5
(22)申请日 2021.08.17
(71)申请人 浙江工业大学
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