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本发明公开了一种改善MOS晶体管的热载流子注入可靠性的工艺方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成第一栅极结构。步骤二、进行自对准的轻掺杂漏注入形成轻掺杂漏区。步骤三、在各第一栅极结构的两侧面上自对准形成侧墙。步骤四、对需要进行热载流子注入可靠性提升的第一MOS晶体管的第一栅极结构上形成第一掩膜层，第一掩膜层至少覆盖侧墙的侧面。步骤五、进行源漏注入形成第一MOS晶体管的源漏区，第一MOS晶体管的源漏注入以第一掩膜层为掩膜，通过侧墙侧面的第一掩膜层厚度调节有效轻掺杂漏区的宽度。本发明能改善MOS晶体
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782424 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202111010790.8
(22)申请日 2021.08.31
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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