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本发明公开了一种氮化硅陶瓷基板生坯的制备方法，包括：将硅粉在氮气气氛中灼烧后流延成型，即得氮化硅陶瓷基板坯体生坯成品；其中，灼烧温度为1250~1400℃。相应的，本发明还公开了一种氮化硅陶瓷基板生坯，其由上述制备方法制备而得。本发明还公开了一种氮化硅陶瓷基板，其由上述氮化硅陶瓷基板生坯烧制而得。实施本发明，可提升氮化硅陶瓷基板生坯的生坯强度，降低流延成型后裁切时的破损率，边缘剥落几率，减少边缘变形，有效提升了氮化硅陶瓷基板生产成品率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113773092 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202110944655.4
(22)申请日 2021.08.17
(71)申请人 广东工业大学
地址
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