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本发明公开了一种FinFET的制造方法，包括：步骤一、对半导体衬底进行图形化刻蚀形成第一鳍体。步骤二、在第一鳍体的间隔区域中填充隔离介质层。步骤三、以隔离介质层为自对准条件对第一鳍体进行刻蚀形成鳍体沟槽。步骤四、在鳍体沟槽中外延第二半导体材料层并形成第二鳍体，第二半导体材料层的载流子迁移率大于半导体衬底的材料的载流子迁移率。步骤五、对隔离介质层进行刻蚀使第二鳍体的顶部部分露出。本发明能提高器件的沟道载流子的迁移率，从而能提高器件的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782441 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202111010817.3
(22)申请日 2021.08.31
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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