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本发明提供一种半导体器件及其形成方法，通过提供衬底结构，该衬底结构包括衬底、一个或多个有源鳍片、多个栅极结构、外延源漏极和覆盖外延源漏极的底部层间介质层，形成覆盖栅极结构顶部的盖帽层，形成覆盖盖帽层和底部层间介质层的层间介质层并平坦化，图案化层间介质层以形成接触开口，露出外延源漏极，在接触开口中形成接触插塞并平坦化，对间隔栅极结构外延源漏极上方的的接触插塞进行全部刻蚀、栅极结构上方的层间介电层进行部分刻蚀，对间隔外延源漏极栅极结构上方的盖帽层进行全部刻蚀、外延源漏极上方的的接触插塞进行部分刻蚀，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782443 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202111017571.2
(22)申请日 2021.08.31
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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