一种带有终端结构的GaN基射频器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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一种带有终端结构的GaN基射频器件及其制作方法.pdf

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本发明公开一种带有终端结构的GaN基射频器件及其制作方法，该射频器件包括：衬底、以及依次位于衬底一侧的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；沿垂直于衬底所在平面的方向，势垒层包括远离沟道层的第一表面，源电极与漏电极相对设置于第一表面的两侧，栅电极位于源电极和漏电极之间；位于势垒层远离衬底一侧的钝化层，钝化层包括第一钝化层和第二钝化层；第一钝化层包括阴离子注入区，沿垂直于衬底所在平面的方向，阴离子注入区的正投影位于栅电极与漏电极之间，因此能够在第一钝化层中产生负电荷中心，进而降低栅脚电场尖峰，从而在提高

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809155 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110984123.3 (22)申请日 2021.08.25 (71)申请人西安电子科技大学地址