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一种砷化镓系多结垂直腔面发射激光器.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种砷化镓系多结垂直腔面发射激光器.pdf

    本发明提供了一种砷化镓系多结垂直腔面发射激光器，通过在相邻两组多量子阱层之间的氧化层和隧穿结；其中，至少一个氧化层设置于所述驻波的波腹位置，以同时限制光场和电场。其余氧化层设置于所述驻波的波节位置，以限制电流；进一步地，氧化层顶层设置于所述驻波的波腹位置。从而，通过将一个氧化层设置于所述驻波的波腹位置，以增加此氧化层内部的光场强度，使得VCSEL发光孔内外的有效折射率差异降低，进而抑制高阶模式的产生，降低了发散角。此外，通过将其余氧化层设置于所述驻波的波节位置，在保证对发光区限定效果的同时，还可

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116387979 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310493960.5 (22)申请日 2023.05.05 (71)申请人 扬州乾照光电有限公司 地址 22

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