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- 2023-07-05 发布于四川
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在某些方面中，一种半导体器件包括衬底、在衬底中的第一沟槽隔离、在衬底中并且围绕衬底的一部分的第二沟槽隔离、以及延伸穿过第一沟槽隔离的第一布线电极层。衬底的该部分是晶体管的有源区域。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113795913 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202180002627.9 H01L 21/762 (2006.01)
(22)申请日
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