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一种PN结制备方法、半导体器件的制作方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种PN结制备方法、半导体器件的制作方法.pdf

    本发明公开了半导体功率器件领域的一种PN结制备方法、半导体器件的制作方法，旨在解决现有工艺制成的PN结漏电流偏大的技术问题。其包括在N型衬底表面生长牺牲氧化层；向含牺牲氧化层面的N型衬底注入P型杂质，并在氮气气氛中推进P型杂质形成PN结；腐蚀去掉N型衬底表面的牺牲氧化层，并在PN结的上表面生长氧化层；本发明方法制成的PN结可解决现有工艺制成PN结漏电流一致性差的问题。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116387142 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310209451.5 (22)申请日 2023.03.07 (71)申请人 南瑞联研半导体有限责任公司 地址

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