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一种降低LED芯片驱动电压的GaN基外延层生长方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种降低LED芯片驱动电压的GaN基外延层生长方法.pdf

    本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种降低LED芯片驱动电压的GaN基外延层生长方法。该生长方法，先在衬底上生长N型GaN层，再通入50000～75000sccm的NH3、5000～20000sccm的H2和50000～80000sccm的N2、200～300的SiH4和1000～2000sccm的TEGa，在N型GaN层上生长应力释放层，在应力释放层上生长多量子阱有源区层，然后通入45000～60000sccm的NH3和1000～2000sccm的TEGa和2000～4000sccm的CP

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116387414 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310248617.4 (22)申请日 2023.03.15 (71)申请人 福建兆元光电有限公司 地

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