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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明属于ETFE薄膜领域，公开了一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，包括以下步骤：1)按配比称取物料投入到高混机中，充分混合，所述物料包含：ETFE原料50～90份、抗氧剂1～3份、抗静电剂2～4份、抗拉伸剂1～2份、耐磨剂6～12份、阻燃剂1～2份、相容剂2～3份及结晶抑制剂20～30份。本发明通过采用添加耐磨剂的方式直接生产出高耐磨性的ETFE薄膜，并配合相容剂和结晶抑制剂使各原料之间相互协同，使ETFE薄膜具备耐磨性能的同时，兼具抗静电、阻燃、抗拉伸等优良性能，另外本发明的耐磨剂
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113801394 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202111041994.8 C08K 3/30 (2006.01)
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