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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域表面形成第一栅介质材料层；在所述第二区域表面形成外延层，使得所述外延层的顶部与所述第一栅介质材料层的顶部之间的高度差的绝对值小于第一目标阈值；以及在所述外延层表面形成第二栅介质材料层。本申请所公开的半导体结构及其形成方法提高了半导体结构的性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809008 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 20201

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