双面电容结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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双面电容结构及其形成方法.pdf

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本发明涉及一种双面电容结构及其形成方法。所述双面电容结构的形成方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的多个电容触点、位于所述衬底表面的叠层结构、以及贯穿所述叠层结构并暴露所述电容触点的多个电容孔，所述叠层结构包括交替堆叠的牺牲层和支撑层；依次形成第一电极层、第一电介质层和第二电极层于所述电容孔的内壁；形成第一导电填充层于所述电容孔内；形成封闭所述电容孔的辅助层；去除部分所述辅助层、若干层所述支撑层和所述牺牲层，暴露所述第一电极层；形成第二电介质层和第三电极层。本发明减少甚

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113497037 A (43)申请公布日 2021.10.12 (21)申请号 20201