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- 2023-07-05 发布于四川
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本公开涉及具有有源区域凹凸部的集成电路。一种IC结构包括第一和第二晶体管、隔离区域和第一栅极延伸部。第一晶体管包括第一栅极以及分别位于第一栅极的相对侧的第一源极/漏极区域。第二晶体管包括第二栅极以及分别位于第二栅极的相对侧的第二源极/漏极区域。隔离区域横向位于第一和第二晶体管之间。第一个第一源极/漏极区域具有从隔离区域的第一边界突出的第一源极/漏极延伸部,并且第一个第二源极/漏极区域具有从隔离区域的第二边界突出的第二源极/漏极延伸部。第一栅极延伸部从第一栅极延伸到与隔离区域交叠的位置。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809073 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202010898013.0
(22)申请日 2020.08.31
(71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司
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