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本发明的名称为具有双自由层磁性隧道结的二维磁记录读取器。本公开大体上涉及一种具有磁性隧道结(MTJ)的二维磁记录(TDMR)读头。上部读取器和下部读取器两者具有在两个屏蔽件之间的双自由层(DFL)MTJ结构。合成反铁磁(SAF)软偏置结构界定所述MTJ，且后硬偏置(RHB)结构安置在所述MTJ后方。所述DFLMTJ减小所述上部和下部读取器之间的距离，且因此改进面密度能力(ADC)。此外，所述SAF软偏置结构和所述后头偏置结构使所述双自由层MTJ在面向介质的表面(MFS)处具有剪刀状态磁矩。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113808625 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202110273425.X G11B 5/11 (2006.01)
(22)申请日 20
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