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晶圆、半导体元件及半导体元件处理方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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晶圆、半导体元件及半导体元件处理方法.pdf

    本发明公开了一种晶圆、半导体元件及半导体元件处理方法，所述晶圆包括本体部和侧结构；所述侧结构位于所述本体部的两端；所述侧结构包括第一倒角部、第二倒角部和侧边缘；所述第一倒角部和所述本体部的第一表面连接；所述第二倒角部和所述本体部的第二表面连接；所述第一倒角部和所述第二倒角部在远离所述本体部的一侧的连接部形成所述侧边缘；所述侧边缘上任一点的曲率大于第一预设值；所述侧结构的第一幅长小于所述侧结构的第二幅长。本发明通过对晶圆的侧结构进行改进，大幅减小了晶圆生长外延层后产生的突角，从而避免了晶圆在生产运

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809149 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110839455.2 (22)申请日 2021.07.23 (71)申请人 上海先进半导体制造有限公司

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