用于半导体器件的肖特基接触结构及其形成方法.pdfVIP

下载本文档

4
0
约1.67万字
约 20页
2023-07-05 发布于四川
举报
版权申诉

用于半导体器件的肖特基接触结构及其形成方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种用于半导体器件(10)的肖特基接触结构(18)具有肖特基接触部(20)以及设置在所述接触部上的用于所述接触结构的电极(22)。所述肖特基接触部包括：与半导体进行肖特基接触的由第一金属构成的第一层(24)；处于所述第一层上的由第二金属构成的第二层(26)；处于所述第二层上的由第一金属构成的第三层(28)；以及处于所述第三层上的由第二金属构成的第四层(30)。设置在所述肖特基接触部上的用于所述肖特基接触结构的电极包括第三金属(22)，所述第二金属提供抵抗在所述第三金属和所述第一金属之间的迁移的势

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110383487 A (43)申请公布日 2019.10.25 (21)申请号 201880