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半导体元件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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半导体元件及其制作方法.pdf

    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要先形成一磁性隧穿结(magnetictunnelingjunction,MTJ)堆叠结构于一基底上，其中MTJ堆叠结构包含一固定层设于基底上、一阻障层设于固定层上以及一自由层设于阻障层上。然后形成一上电极于MTJ堆叠结构上，去除上电极、自由层以及阻障层，形成第一遮盖层于上电极、自由层以及阻障层上，再去除第一遮盖层以及固定层以形成一MTJ以及一间隙壁于MTJ旁。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809117 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 20201

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