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本发明公开了一种存储器的光刻曝光方法，在存储器制作的光刻工艺中，采用掩膜版曝光时，将存储器上的具有不同曝光尺寸要求的区域进行分拆，划分为不同的曝光分组，具有相同曝光解析力要求的区域划为一组，在曝光时对不同分组进行不同模式的能够相应满足该组解析力要求的曝光模式的曝光，在曝光时，采用不同的照明方式进行曝光：首先采用第一种曝光方式对存储阵列单元曝光分组进行曝光，然后保持晶圆在承台上不动，再采用第二种曝光方式对其他结构曝光分组进行曝光；全部曝光完成后，进行一次显影完成图形转移。本发明有针对性地为每组选择
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113504706 A
(43)申请公布日 2021.10.15
(21)申请号 202110641291.2
(22)申请日 2021.06.09
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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