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- 2023-07-05 发布于四川
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一种谐振器，涉及半导体技术领域，该谐振器包括衬底以及依次设置于衬底上的二氧化硅层和铌酸锂薄膜层，其中，铌酸锂薄膜层上划分有以预设距离相间隔的第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，对铌酸锂薄膜层的第一刻蚀区域和第二刻蚀区域分别刻蚀并穿透二氧化硅层至露出衬底，在第一刻蚀区域和第二刻蚀区域内填充保护墙，保护墙至少超出二氧化硅层的上表面。该谐振器能够有效控制空腔的形状，从而避免影响器件性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113810012 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202111114980.4
(22)申请日 2021.09.23
(71)申请人 武汉敏声新技术有限公司
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