一种无金互联氮化镓CMOS的制作方法及器件.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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一种无金互联氮化镓CMOS的制作方法及器件.pdf

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本发明公开了一种无金互联氮化镓CMOS的制作方法及器件，方法包括步骤：获取GaN射频器件和CMOS器件；其中，CMOS器件由SOI工艺制备而成；在GaN射频器件上生长一层第一绝缘介质层；在CMOS器件上生长一层第二绝缘介质层；通过低温真空键合工艺将第一绝缘介质层和第二绝缘介质层键合以使GaN射频器件和CMOS器件粘合形成异质结构器件；在异质结构器件的顶部和底部分别光刻引线区域，并根据引线区域刻蚀引线凹槽；在引线凹槽内沉积金属Ti/Cu或Ti/AlCu以实现GaN射频器件和CMOS器件的电路连接，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808963 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110984120.X (22)申请日 2021.08.25 (71)申请人西安