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一种金刚石衬底GaN器件背孔制备的方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种金刚石衬底GaN器件背孔制备的方法.pdf

    本发明公开了一种金刚石衬底GaN器件背孔制备的方法，包括：1）制备金刚石衬底GaN器件；2）临时载片的正面涂敷键合材料；3）将GaN器件和临时载片键合；4）金刚石衬底表面沉积金属掩膜，并剥离金属得到背孔图形；5）按照背孔图形对金刚石衬底进行激光刻蚀；6）进行等离子体干法刻蚀，直至背孔内金刚石衬底完全刻蚀干净；7）对背孔内的GaN外延层进行等离子体干法刻蚀；8）抛光将金刚石衬底表面的掩膜去除干净；9）在金刚石衬底背面及背孔内沉积种子层金属，并电镀沉积背金；10）将临时载片分离并清除粘合材料。本发明

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808948 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111036982.6 (22)申请日 2021.09.06 (71)申请人 中国

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