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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明提供了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，深紫外发光二极管包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层，量子阱有源层包括交替设置的至少一个势阱层和至少两个势垒层，每个势阱层插入在两个相邻的势垒层之间，势阱层的材料为氮化铝镓，其中，在衬底至量子阱有源层的方向上，势阱层中的铝组分含量先逐渐降低再逐渐升高；本发明在将载流子限制在势阱层内部的同时，以使势阱层中靠近势垒层一侧的铝组分含量与势垒层的铝组分含量的绝对差值减小，降低了量子阱内部的压电极化强度，进
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116387433 A
(43)申请公布日 2023.07.04
(21)申请号 202310514904.5
(22)申请日 2023.05.09
(71)申请人 苏州紫灿科技有限公司
地址 21
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