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一种正型QLED器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种正型QLED器件及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种正型QLED器件，包括自下而上依次设置的透明电极、第一空穴注入层、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极和封装层；所述第一空穴注入层的材质为碱金属离子掺杂MoOx；所述碱金属离子包括Li+、Na+和K+中的一种；所述第二空穴注入层的材质为PEDOT：PSS。本发明将空穴注入层设置为两层，通过采用碱金属离子掺杂MoOx与PEDOT：PSS作为空穴注入材料，利用Li+、Na+和K+中的一种掺杂MoOx，调节了MoOx的导带位置，增加了导电性，降低了空穴注入势垒，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809256 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111185304.6 (22)申请日 2021.10.12 (71)申请人 河南大学

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