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2023-07-05 发布于四川
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半导体器件及其制作方法.pdf

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本发明涉及一种半导体器件及其制作方法，包括：形成基底；在基底上形成多个间隔设置的第一导电走线；在基底上形成覆盖第一导电走线的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成位于第一导电走线之间且露出基底的开口；在开口中形成第二导电走线；去除第一绝缘层，以得到位于第一导电走线和第二导电走线之间的空隙区；在空隙区中形成具有气腔间隙的第二绝缘层，第二绝缘层的介电常数小于第一绝缘层的介电常数，从而在提高半导体器件的集成度和微型化程度的同时，能够避免由于半导体器件中导电走线之间的寄生电容增大、以及制程工艺难度增加，而导致半

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809002 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111066931.8 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请日

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