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一种降低芯片Wire-Bond裂率的工艺.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种降低芯片Wire-Bond裂率的工艺.pdf

    本发明提供了一种降低芯片Wire‑Bond裂率的工艺，包括以下步骤：S1加热烧球、S2焊头移至第一焊点、S3第一焊点压焊、S4放线转移、S5焊头移至第二焊点、S6第二焊点压焊、S7拉断尾丝和S8焊头复位；所述焊线为金银合金线，包含金、银、钯，其中银的质量分数不低于94.5％。焊线2更换为含银量94.5％～96.5％，含金量0.8％～1.2％，含钯量2.8％～3.5％的SAG5‑Ag金银合金线，SAG5‑Ag金银合金线相对于镀钯铜线来说质地较软，在压焊的过程中，SAG5‑Ag金银合金线可以充分形变

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808955 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111082067.0 (22)申请日 2021.09.15 (71)申请人 安徽大衍半导体科技有限公司

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