一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及电子设备.pdfVIP

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2023-07-06 发布于四川
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一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及电子设备.pdf

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本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及电子设备，其中薄膜晶体管的制作方法，包括，提供一衬底基板，在衬底基板上形成栅极层；在栅极层上采用化学气相沉积工艺形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上采用磁控溅射法形成有源层，有源层采用铟镓锌氧化物制成；在有源层上形成源极层和漏极层；在源极层和漏极层上形成钝化层；在钝化层上形成像素电极层；在像素电极层上形成反射层。本发明薄膜晶体管的有源层采用铟镓锌氧化物制成，由于金属的NS轨道呈球形状分布各向同性，交叠部分较大，所以铟镓锌氧化物具有良好的载流子传输通道，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838759 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202110864443.5 (22)申请日 2021.07.29 (71)申请人信利

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