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一种高纯铜靶材及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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一种高纯铜靶材及其制备方法.pdf

    本发明提供一种高纯铜靶材及其制备方法，所述制备方法包括：将铜靶坯依次进行锻伸、第一热处理、压延和第二热处理；所述第一热处理的温度为695‑705℃；所述第二热处理的温度为895‑905℃。本发明提供的铜靶材制备方法能够满足半导体等行业对铜靶材的要求，得到的铜靶材无内部缺陷且内部晶粒足够细化，改善了溅射薄膜的厚度分布均匀性，提高了镀膜质量；同时简化了制备方法，降低了生产成本，提高了生产效率和靶材利用率，有利于规模化生产。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113817995 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202111092277.8 (22)申请日 2021.09.17 (71)申请人 宁波江丰电子材料股份有限公司

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