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具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管.pdf

    本发明涉及具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管。公开了用于制造配置有降低寄生泄漏（即通过与晶体管相关联的源极区和漏极区之间的底层衬底的一部分的电流泄漏）的子鳍绝缘层的半导体晶体管器件的技术。通过制造衬底的子鳍区中的牺牲层在鳍的至少一个沟道区下面的晶体管来降低寄生泄漏。在处理期间，利用电介质材料整体或部分地去除并替换子鳍区中的牺牲层。该电介质材料增加鳍的对应源极和漏极部分之间的衬底的电阻率，因此降低寄生泄漏。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838755 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202111084347.5 H01L 29/78 (2006.01) (22)申请日 2

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