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一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法.pdf

    本发明公开了一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法，包括HEMT结构，在HEMT结构的源极及漏极外侧分别设置源极垂直金属场板及漏极垂直金属场板，在源极及漏极平行于HEMT外延片的方向分别设置源极平行金属场板及漏极平行金属场板，且源极及漏极分别与各自的垂直金属场板及平行金属场板连接，垂直金属场板与平行金属场板通过SiN层与外延结构隔离，在源极和漏极之间设置制备T型栅极以提高HEMT器件的频率特性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823675 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202110965645.9 H01L 21/335 (2006.01) (22)申请日

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