1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体结构及制备方法、外围电路、存储器以及存储系统.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约2.63万字
  • 约 23页
  • 2023-07-06 发布于四川
  • 举报

半导体结构及制备方法、外围电路、存储器以及存储系统.pdf

    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、一种外围电路、一种存储器以及一种存储系统。制备半导体结构的方法包括：在衬底上形成第一栅极层，并在第一栅极层上覆盖牺牲层；去除牺牲层的第一预定部分以形成暴露第一栅极层的开口；采用第二栅极层填充开口；以及去除牺牲层和部分第一栅极层，以形成第一栅极和第二栅极，其中，第一栅极层的、与开口对应的部分被保留，以与第二栅极层共同形成第一栅极，并且第一栅极层的第二预定部分被保留以形成第二栅极。根据该制备方法，可根据实际需要改变部分区域的栅极的高度，从而实现低压逻辑器件与高

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838804 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202111110371.1 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请日

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >