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- 2023-07-06 发布于四川
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本发明公开了一种检测宽禁带半导体器件的装置,包括加热光组件,探测光入射组件,光路引导组件,探测反射光采集组件和样品表面监测组件,加热光组件产生脉冲加热激光;探测光入射组件包含第一探测激光和第二探测激光,产生不同波长段的连续激光,第一探测激光用于探测金属材料表面的热反射,第二探测激光用于探测宽禁带半导体表面的热反射;单束脉冲激光和两束连续激光初始并不共轴,经过光路引导组件,三束光最终在样品表面处共轴,从而使装置兼具检测表面为金属和表面为宽禁带半导体的材料导热性质的功能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113834784 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111110437.7
(22)申请日 2021.09.18
(71)申请人 王红珍
地址 430
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