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本申请实施例提供了一种薄膜制备方法及设备，薄膜制备设备可以包括位于反应腔室中的衬底支撑件，以及位于衬底支撑件上表面凹槽中的绝缘柱，在绝缘柱置入凹槽中时，绝缘柱的上表面突出衬底支撑件的上表面，绝缘柱为多个，用于固定衬底，绝缘柱突出衬底支撑件上表面的高度根据待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定，待测膜层为预先在反应腔中形成于测试衬底表面上的膜层，也就是说，本申请实施例中，可以通过调整绝缘柱的高度，来调整绝缘柱上固定的衬底和衬底支撑件之间的距离，从而调控在衬底上形成的膜层的特性，可以通过调整绝缘柱
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113818003 A
(43)申请公布日 2021.12.21
(21)申请号 202010565010.5
(22)申请日 2020.06.19
(71)申请人 拓荆科技股份有限公司
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