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一种双图案掩膜及其制作方法、半导体器件、电子设备.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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一种双图案掩膜及其制作方法、半导体器件、电子设备.pdf

    本发明公开一种双图案掩膜及其制作方法、半导体器件、电子设备，涉及半导体制作技术领域，实现了利用双重构图形成图案结构所具有的成本低的效果。该双图案掩膜的制作方法包括，提供衬底。在衬底上形成硬掩膜材料层。在硬掩膜材料层上形成掩膜材料层并进行图案化处理，形成沿第一方向延伸的第一方向掩膜图案。以第一方向掩膜图案为掩膜对硬掩膜材料层进行刻蚀，形成沿第一方向延伸的第一方向图案。在形成有第一方向图案的硬掩膜材料层上继续形成掩膜材料层并进行图案化处理，形成沿第二方向延伸的第二方向掩膜图案，第二方向与第一方向交叉

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823553 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202010566755.3 (22)申请日 2020.06.19 (71)申请人 中国科学院微电子研究所

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