1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

超导-半导体纳米线异质结及其制备方法和包含其的器件.pdfVIP

  • 18
  • 0
  • 约1.5万字
  • 约 14页
  • 2023-07-06 发布于四川
  • 举报

超导-半导体纳米线异质结及其制备方法和包含其的器件.pdf

    本发明涉及异质结技术领域，具体而言，涉及一种超导‑半导体纳米线异质结，包括衬底，以及生长在所述衬底上的半导体纳米线和超导体层，所述超导体层至少一部分与所述半导体纳米线直接接触；其中，所述半导体纳米线的材料为化合物半导体PbTe，所述超导体层的材料为元素超导体Pb，所述衬底的材料为化合物半导体CdTe。本发明还涉及所述超导‑半导体纳米线异质结的制备方法。本发明进一步涉及一种包含所述超导‑半导体纳米线异质结的器件。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838964 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202111080289.9 H01L 39/24 (2006.01) (22)申请日 2

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >