1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种SiC MOSFET器件及其制备方法.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约3.46万字
  • 约 30页
  • 2023-07-06 发布于四川
  • 举报

一种SiC MOSFET器件及其制备方法.pdf

    本申请涉及碳化硅功率器领域，公开了一种SiCMOSFET器件及其制备方法，SiCMOSFET器件包括衬底、外延底层、基层、源极层、栅极、栅介质层、保护层、沟道段、沟道长度减缩段、浮空段、隔离层、源极和漏极；SiCMOSFET器件基于如下方法制备，包括：在衬底的第一表面上形成外延底层和基层，在外延底层和基层内形成保护层，在基层上形成源极层和基极结，在沟槽内形成栅极、栅介质层、沟道段、沟道长度减缩段和浮空段，在栅极层上形成隔离层，在隔离层和源极层上形成源极，在衬底第二表面上形成漏极。本申请的栅

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823674 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202111150039.8 H01L 21/336 (2006.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >