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本发明公开一种半导体电路，该半导体电路包括金属基板、功率因数校正模块、第一散热器和第二散热器，所述第一散热器和所述第二散热器设于所述金属基板上，所述功率因数校正模块包括快恢复二极管、续流二极管和IGBT，所述快恢复二极管设于所述第一散热器上，所述续流二极管和所述IGBT设于所述第二散热器上。本发明所提出的半导体电路，功率因数校正模块的快速恢复二极管通过第一散热器进行散热，续流二极管和IGBT通过第二散热器进行散热，从而能够及时的将功率因数校正模块所产生的热量排出，避免功率因数校正模块局部升温过快
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113823610 A
(43)申请公布日 2021.12.21
(21)申请号 202111157788.3
(22)申请日 2021.09.29
(71)申请人 广东
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