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一种在绝缘体上制备锗薄膜的方法.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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一种在绝缘体上制备锗薄膜的方法.pdf

    本发明提供一种在绝缘体上制备锗薄膜的方法及其应用，在绝缘体基底上，先用原子层沉积方法沉积的过渡层薄膜，在所述过渡层薄膜上再用原子层沉积方法沉积单质锗膜至所需厚度，能够简单、高效地将单质锗膜沉积于绝缘体上并实现其在半导体领域的应用。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823555 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202111029511.2 (22)申请日 2021.09.03 (71)申请人 合肥安德科铭半导体科技有限公司

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