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一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底包括衬底和位于衬底表面的若干鳍部；位于所述基底上横跨若干所述鳍部的栅极结构，且所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和侧壁表面；分别位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源漏掺杂层，位于相邻的鳍部内的源漏掺杂层相邻；位于所述源漏掺杂层表面的接触电阻层，且相邻接触电阻层相连；位于部分接触电阻层表面的第一插塞。相邻接触电阻层相连，且在部分接触电阻层表面形成第一插塞，使得所述第一插塞在栅极结构上的投影面积较小，且所述第一插塞的体积较小，有利于降低第一插塞和栅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113838932 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202010581093.7
(22)申请日 2020.06.23
(71)申请人 中芯
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