基于裸晶圆的图像传感器的制备方法.pdfVIP

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2023-07-06 发布于四川
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基于裸晶圆的图像传感器的制备方法.pdf

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本发明提供一种基于裸晶圆的图像传感器的制备方法，包括提供裸晶圆，于裸晶圆中通过离子注入形成离子掺杂层，于裸晶圆的上表面上形成感光功能结构，提供半导体基底，将裸晶圆与半导体基底进行键合，自裸晶圆远离感光结构的一侧减薄裸晶圆至离子掺杂层，于离子掺杂层上制备虑光功能结构。本发明的基于裸晶圆的图像传感器的制备方法，可以采用裸晶圆进行图像传感器的制备，减小工艺成本，并基于离子掺杂层的形成，可以形成裸晶圆‑离子掺杂层‑裸晶圆的结构，并在后续减薄刻蚀工艺中作为刻蚀阻挡层，替代传统SOI结构。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838875 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 20201