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- 2023-07-06 发布于四川
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本发明公开了一种半导体封装制造方法，包括提供一个晶圆、采用一个种子层、形成一个光致抗蚀剂层、电镀一个铜层、去除光致抗蚀剂层、去除种子层、施加研磨工艺、形成金属化和施加分离工艺等步骤。本发明还公开了一种半导体封装，包括一个硅层、一个铝层、一个钝化层、一个聚酰亚胺层、一个铜层和一个金属化。在一个示例中，栅极夹片的接触区域的面积小于栅极铜表面的面积，栅极夹片的接触面积大于栅极铝表面。在另一示例中，栅极引脚的接触区域的面积大于栅极铜表面的面积，栅极引脚的接触区域的面积大于栅极铝表面。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113823570 A
(43)申请公布日 2021.12.21
(21)申请号 202110589723.X H01L 23/488 (2006.01)
(22)申请日
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