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- 2023-07-06 发布于四川
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本发明公开了一种钙钛矿发光二极管及其制备方法，所述钙钛矿发光二极管的结构自下而上依次包括衬底、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，所述发光层为钙钛矿发光层；在制备所述钙钛矿发光层时，将钙钛矿前驱体溶液旋涂于所述空穴传输层上，通过监测光致发光现象确定临界时间，并参考所述临界时间选择反溶剂引入时间引入反溶剂，再经退火处理得到钙钛矿发光层。本发明通过监测光致发光中荧光的现象，能够容易地确定引入反溶剂的滴落时间，实现了反溶剂滴落时间的精确控制。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113823751 A
(43)申请公布日 2021.12.21
(21)申请号 202111029460.3
(22)申请日 2021.09.02
(71)申请人 深圳大学
地址 51
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