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一种深紫外LED倒装芯片及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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一种深紫外LED倒装芯片及其制作方法.pdf

    本发明涉及一种深紫外LED倒装芯片及其制作方法，所述深紫外LED倒装芯片包括LED外延片及n电极（8）和p电极（9），n电极（8）上设有n电流扩展电极（10），p电极（9）上设有p电流扩展电极（11），n电流扩展电极（10）的正投影的边缘相对于所述n电极（8）的正投影的边缘内缩2‑7um且p电流扩展电极（11）的正投影的边缘相对于所述p电极（9）的正投影的边缘内缩2‑7um。其能够延长深紫外LED倒装芯片的寿命，并能够提高深紫外LED倒装芯片的发光强度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113851566 B (45)授权公告日 2022.02.11 (21)申请号 202111448886.2 H01L 33/40 (2010.01)

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