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- 2023-07-07 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一掺杂层；在第一掺杂层上形成半导体柱；在第一掺杂层上形成第一隔离层，露出半导体柱的部分侧壁；在第一隔离层上形成第二隔离层，第二隔离层大于第一隔离层的耐刻蚀度；在第二隔离层上形成包围半导体柱部分侧壁的栅极结构，栅极结构顶面低于半导体柱顶面；在半导体柱顶部形成第二掺杂层。本发明形成耐刻蚀度更大的第二隔离层，在形成栅极结构之前的工艺过程中，第二隔离层被损耗的概率较低，且第二隔离层对第一隔离层起到保护作用，从而减小第一隔离层被损耗的概率，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871300 A
(43)申请公布日
2021.12.31
(21)申请号 20201
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