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- 2023-07-07 发布于四川
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一种高电子迁移率晶体管，包括基底、三五族沟道层、三五族阻挡层、三五族盖层、源极电极、第一漏极电极、第二漏极电极、以及连接部。其中，三五族沟道层、三五族阻挡层、及三五族盖层依序设置于基底上。源极电极设置于三五族盖层的一侧，第一漏极电极及第二漏极电极设置于三五族盖层的另一侧。第一漏极电极的底面分离于第二漏极电极的底面，且第一漏极电极的组成不同于第二漏极电极的组成。连接部电连接至第一漏极电极以及第二漏极电极。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871476 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202010623811.2
(22)申请日 2020.06.30
(71)申请人 世界先进积体电路股份有限公司
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